SJ 20013-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
作者:标准资料网 时间:2024-05-26 12:41:39 浏览:9062
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基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS10 GP,GT and GCT classes |
| 中标分类： | 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-02-01 |
| 实施日期： | 1992-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草人： | 王长福、吴志龙、张宗国、刘美英 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1992-04-01 |
| 页数： | 10页 |
适用范围
本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
前言
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目录
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引用标准
GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
所属分类： 综合 标准化管理与一般规定 技术管理
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